自2010年以來(lái)，潛在的誘導退化被認為是導致模塊故障的主要原因之一。利用弗勞恩霍夫CSP開(kāi)發(fā)的新技術(shù)，以及弗萊貝格儀器公司的臺式工具PIDcon，可以對太陽(yáng)能電池和微型組件的PID敏感性進(jìn)行測試，現在已經(jīng)投入市場(chǎng)。 

了解更多關(guān)于PID的原因以及如何研究太陽(yáng)能電池、微型模塊和封裝材料的敏感性。

PID-s的物理性質(zhì)

電勢誘導退化（PID）是在晶體硅組件中觀(guān)察到的較高危險的退化現象之一。在了解分流型PID（PID-s）的基本機制方面已經(jīng)取得了很大進(jìn)展。

PID-s的物理性質(zhì)

在現場(chǎng)，模塊中的前玻璃表面和太陽(yáng)能電池之間可能會(huì )出現較大的電位，硅太陽(yáng)能電池的p-n結會(huì )發(fā)生分流，從而導致電阻和功率輸出下降。

以下模型是由[1]提出的：

模塊中存在的高場(chǎng)強導致Na+漂移通過(guò)SiNx層。鈉離子在SiNx/Si界面（SiOx）橫向擴散，并裝飾了堆疊故障。pn結通過(guò)高度裝飾的堆積斷層的缺陷水平被分流（過(guò)程1），另外，由于耗盡區的缺陷狀態(tài)的重組過(guò)程，J02增加（過(guò)程2）。請注意，Na離子應該是來(lái)自Si表面而不是玻璃。

因此，模塊的易感性主要取決于SiNx層以及玻璃和EVA箔的電阻率。

參考文獻：

[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318